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16Mb低功耗异步SRAM横空出世可延长手持设备的电池续航时间万芳

发布时间:2020-02-14 11:04:19 阅读: 来源:电热膜厂家

16Mb低功耗异步SRAM横空出世,可延长手持设备的电池续航时间 - 单片机/处理器 - 电子工程网

静态随机存取存储器(SRAM)市场领导者赛普拉斯半导体公司日前宣布,其具有错误校正代码(ECC)的16Mb低功耗异步SRAM 已开始出样。全新MoBL· (More Battery Life?,更久电池续航) SRAM的片上ECC功能可使之具有最高水准的数据可靠性,而无需另外的错误校正芯片,从而简化设计并节省电路板空间。该MoBL器件可延长工业、军事、通讯、数据处理、医疗和消费电子等应用领域里手持设备的电池续航时间。

背景辐射造成的软错误可损坏存储内容,丢失重要数据。赛普拉斯新型异步SRAM中的硬件ECC模块可在线执行所有错误校正动作,无需用户干预,因而具有业界最佳的软错误率(SER)性能,错误率仅有0.1 FIT/Mb(1个FIT相当于器件每工作十亿小时发生一个错误)。这些新器件与现有的异步低功耗SRAM管脚兼容,客户不必更改电路板设计即可提高系统可靠性。16Mb MoBL 异步SRAM还具有可选的错误指示信号,可指示单位(Single-Bit)错误的发生和校正。

赛普拉斯异步SRAM事业部高级总监SunilThamaran说:“自从我们去年推出带ECC的快速SRAM以来,客户反响非常强烈。在这一系列中增加MoBL器件,可使更多的应用受益于我们的片上ECC技术。赛普拉斯致力于不断开发SRAM新技术,更好地为客户服务,巩固我们毫无争议的市场领导地位。”

赛普拉斯的16MbMoBL异步SRAM具有业界标准的x8, x16 和 x32配置。器件具有多种工作电压(1.8V, 3V和5V),工作温度范围为-40℃至 +85℃(工业级)和-40℃至 +125℃(汽车级)。

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